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SDB720WS	文件：172.04 Kbytes Page：2 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARSCHOTTKYBARRIERDIODE SILICONEPITAXIALPLANARSCHOTTKYBARRIERDIODE forhighfrequencyrectification	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
SDB720WT	文件：195.13 Kbytes Page：3 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARSCHOTTKYBARRIERDIODE SILICONEPITAXIALPLANARSCHOTTKYBARRIERDIODE forhighspeedswitchingcircuitandsmallcurrent rectificationapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
SDR720	文件：201.49 Kbytes Page：2 Pages	70AMP50-200VOLTS50nsecULTRAFASTRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SDR720	文件：114.61 Kbytes Page：2 Pages	UltraFastRecoveryRectifier	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SI720X	文件：580.62 Kbytes Page：31 Pages	Si720xSwitch/LatchHallEffectMagneticPositionSensor	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SIHF720	文件：1.60226 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF720	文件：1.08704 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SIHF720L	文件：255.7 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF720S	文件：178.37 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF720S	文件：1.1008 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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