PJP15N65D中文资料MOSFET数据手册E-CMOS规格书
技术参数
- 制造商编号
：PJP15N65D
- 生产厂家
：E-CMOS
- Configuration
：Single
- MOSFETTyEC
：N
- V DS(V)
：650
- V GS(V)
：±30
- V th (V)
：2/ - /4
- R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V
：260/290
- GS =4.5V
：-
- GS =2.5V
：-
- GS =1.8V
：-
- Ciss(pF)
：986
- Coss (pF)
：67.7
- Crss(pF)
：3.36
- Qg (nC)=10V
：18
- Qg (nC)=4.5V
：-
- Qgs(nC)
：5.9
- Qgd (nC)
：6
- Rg W
：-
- EAS mJ)
：400
- I D(A) Tc=25 ℃
：15
- I D(A) Tc=100 ℃
：9.5
- I D(A) TA=25 ℃
：-
- I D(A) TA=70 ℃
：-
- EC(W)Tc=25 ℃
：104
- EC(W)TA=25 ℃
：-
- EC(W)TA=70 ℃
：-
- ESDDiode
：X
- Schokkty Diode
：X
