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PJP15N65D数据手册E-CMOS中文资料规格书

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厂商型号

PJP15N65D

功能描述

MOSFET

制造商

E-CMOS E-CMOS Corporation

中文名称

飞虹高科 飞虹高科股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 15:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :PJP15N65D

  • 生产厂家

    :E-CMOS

  • Configuration

    :Single

  • MOSFETTyEC

    :N

  • V DS(V)

    :650

  • V GS(V)

    :±30

  • V th (V)

    :2/ - /4

  • R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V

    :260/290

  • GS =4.5V

    :-

  • GS =2.5V

    :-

  • GS =1.8V

    :-

  • Ciss(pF)

    :986

  • Coss (pF)

    :67.7

  • Crss(pF)

    :3.36

  • Qg (nC)=10V

    :18

  • Qg (nC)=4.5V

    :-

  • Qgs(nC)

    :5.9

  • Qgd (nC)

    :6

  • Rg W

    :-

  • EAS mJ)

    :400

  • I D(A) Tc=25 ℃

    :15

  • I D(A) Tc=100 ℃

    :9.5

  • I D(A) TA=25 ℃

    :-

  • I D(A) TA=70 ℃

    :-

  • EC(W)Tc=25 ℃

    :104

  • EC(W)TA=25 ℃

    :-

  • EC(W)TA=70 ℃

    :-

  • ESDDiode

    :X

  • Schokkty Diode

    :X

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