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PJD30N04S-AU	文件：648.5 Kbytes Page：6 Pages	Marking：D30N04S；Package：TO-252AA；40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
HM30N04D	文件：915.53 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM30N04Q	文件：1.24835 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HRP30N04K	文件：2.81873 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
HRP30N04K	文件：867.85 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
NP30N04QUK	文件：703.77 Kbytes Page：9 Pages	40V–30A–DualN-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP30N04QUKisadualN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=8mMAX.(VGS=10V,ID=15A) LowCiss:Ciss=1600pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplicationa	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

更多PJD30N04S-AU供应商更新时间2025-6-14 10:34:00