PHX9NQ20T中文资料飞利浦数据手册PDF规格书
PHX9NQ20T规格书详情
VDSS = 200 V
ID = 5.2 A
RDS(ON) ≤ 400 mΩ
GENERAL DESCRIPTION
N-channel, enhancement mode field-effect power transistor using Trench technology, intended for use in off-line switched mode power supplies, T.V. and computer monitor power supplies, d.c. to d.c. converters, motor control circuits and general purpose switching applications.
The PHX9NQ20T is supplied in the SOT186A (FPAK) conventional leaded package
FEATURES
• ’Trench’ technology
• Low on-state resistance
• Fast switching
• Low thermal resistance
产品属性
- 型号：
PHX9NQ20T
- 功能描述：
MOSFET RAIL PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
24+ |
NA/ |
15 |
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询价 | ||
恩XP |
NA |
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恩XP |
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恩XP |
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TO-220F |
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 |
