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PHX34NQ11T	文件：319.18 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=24.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=110V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=40mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP34NQ11T	文件：372.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=110V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=40mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP34NQ11T	文件：334.67 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits H	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHP34NQ11T	文件：949.34 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHP34NQ11T	文件：91.81 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOS??standardlevelFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PHX34NQ11T
功能描述：
MOSFET TRENCHMOS(TM) FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	PHX34NQ11T	PH	24+	SOT186ATO-220F	8866		询价
深圳市华来深电子有限公司	PHX34NQ11T	恩XP	23+	TO-220FT	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
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更多PHX34NQ11T供应商更新时间2025-7-26 15:30:00

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