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PHU11NQ10T	文件：308.97 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.18Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：308.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHU11NQ10T,127	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533	恩XP	恩XP
PHY1252DS	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	CHIP-RAIL启臣微上传：深圳市乐创天科技有限公司	CHIP-RAIL启臣微

详细参数

型号：
PHU11NQ10T
功能描述：
MOSFET TUBE MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PHU11NQ10T供应商更新时间2025-12-20 14:00:00

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