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PHU101NQ03LT中文资料PDF规格书

PHU101NQ03LT
厂商型号

PHU101NQ03LT

功能描述

TrenchMOS logic level FET

文件大小

279.02 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 ROYAL PHILIPS
企业简称

Philips飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-8 13:54:00

PHU101NQ03LT规格书详情

Description

N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology.

Product availability:

PHP101NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)

PHU101NQ03LT in SOT533 (I-PAK)

Features

■ Low gate charge

■ Low on-state resistance.

Applications

■ Optimized as a control FET in DC to DC converters.

产品属性

  • 型号:

    PHU101NQ03LT

  • 功能描述:

    MOSFET RAIL PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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