PHT8N06数据手册恩XP中文资料规格书
技术参数
- 型号：
PHT8N06
- 功能描述：
MOSFET N-CH TRENCH 55V 7.5A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
25+23+ |
SOT223 |
73974 |
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询价 | ||
PHI |
23+ |
SOT223 |
7499 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
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24+ |
NA/ |
1000 |
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恩XP |
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PHI |
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SOT-223 |
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恩XP |
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恩XP |
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SOT223 |
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恩XP |
20+ |
SOT-223 |
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恩XP |
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SOT223 |
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恩XP |
20+ |
SOT223 |
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