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PHP83N03LT	文件：308.19 Kbytes Page：15 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP83N03LTinaSOT78(TO-220AB) PHB83N03LTinaSOT404(D2-PAK) PHE83N03LTinaSOT226(I2-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fasts	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP83N03LT	文件：371.74 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHB83N03LT	文件：344.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHB83N03LT	文件：308.19 Kbytes Page：15 Pages	N-channelTrenchMOStransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP83N03LTinaSOT78(TO-220AB) PHB83N03LTinaSOT404(D2-PAK) PHE83N03LTinaSOT226(I2-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fasts	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD83N03LT	文件：282.98 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHD83N03LTinaSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching. Applications ■HighfrequencycomputermotherboardDCtoDCconv	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHE83N03LT	文件：281.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHE83N03LT	文件：308.19 Kbytes Page：15 Pages	N-channelTrenchMOStransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP83N03LTinaSOT78(TO-220AB) PHB83N03LTinaSOT404(D2-PAK) PHE83N03LTinaSOT226(I2-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fasts	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PHP83N03
功能描述：
MOSFET TRENCH<=30
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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