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PHP6N60E	文件：74.78 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOS transistors Avalanche energy rated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP6N60Eissupplied	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP6N60E	文件：372.04 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHX6N60E	文件：69.91 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHX6N60Eissupplied	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHX6N60E	文件：319.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RLF6N60CT	文件：832.86 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Features RDS(ON)	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
RMP6N60IP	文件：1.133 Mbytes Page：11 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET FEATURES •LowCrss •Lowgatecharge •Fastswitching •ImprovedESDcapability •Improveddv/dtcapability •100%avalancheenergytest	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RMP6N60LD	文件：1.133 Mbytes Page：11 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET FEATURES •LowCrss •Lowgatecharge •Fastswitching •ImprovedESDcapability •Improveddv/dtcapability •100%avalancheenergytest	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RMP6N60TI	文件：1.133 Mbytes Page：11 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET FEATURES •LowCrss •Lowgatecharge •Fastswitching •ImprovedESDcapability •Improveddv/dtcapability •100%avalancheenergytest	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SGP6N60UF	文件：510.16 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeedswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGP6N60UFD	文件：570.21 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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