PHP21N06T中文资料飞利浦数据手册PDF规格书
PHP21N06T规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications.
产品属性
- 型号：
PHP21N06T
- 功能描述：
MOSFET RAIL PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
NA/ |
25 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
TO220AB |
80000 |
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询价 | ||
PHI |
24+ |
TO-220 |
20000 |
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PHI |
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TO-220 |
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恩XP |
24+ |
TO220 |
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恩XP |
ROHS |
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恩XP |
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TO220 |
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恩XP |
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TO220 |
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恩XP |
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19+ |
8000 |
TO-220 |
询价 | ||
PHI |
24+ |
TO-220 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 |
