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PHP21N06LT中文资料安世数据手册PDF规格书

PHP21N06LT
厂商型号

PHP21N06LT

功能描述

N-channel TrenchMOSÔ transistor Logic level FET

文件大小

233.59 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 20:00:00

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PHP21N06LT规格书详情

FEATURES

• ’Trench’ technology

• Low on-state resistance

• Fast switching

• Logic level compatible

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.

Applications:-

• d.c. to d.c. converters

• switched mode power supplies

The PHP21N06LT is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.

The PHB21N06LT is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting package.

The PHD21N06LT is supplied in the SOT428 (DPAK) surface mounting package.

产品属性

  • 型号:

    PHP21N06LT

  • 功能描述:

    MOSFET RAIL PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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