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PHP14NQ20T	文件：64.95 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOS transistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Productavailability: PHP14NQ20TinSOT78(TO-220AB) PHB14NQ20TinSOT404(D2-PAK) PHD14NQ20TinSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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PHP14NQ20T	文件：371.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.23Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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PHB14NQ20T	文件：344.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.23Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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PHD14NQ20T	文件：298.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.23Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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PHF14NQ20T	文件：68.9 Kbytes Page：9 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticfullpackenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHX14NQ20Tissupplie	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PHP14NQ20
功能描述：
MOSFET TRENCH-200
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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