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PHP110NQ08LT	文件：91.26 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET Description LogiclevelN-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackage usingTrenchMOS™technology. Features ■Logiclevelthreshold ■Verylowon-stateresistance. Applications ■Motors,lamps,solenoids ■Uninterruptiblepowersupplies ■DC	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP110NQ08LT	文件：372.56 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHB110NQ08LT	文件：91.26 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET Description LogiclevelN-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackage usingTrenchMOS™technology. Features ■Logiclevelthreshold ■Verylowon-stateresistance. Applications ■Motors,lamps,solenoids ■Uninterruptiblepowersupplies ■DC	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB110NQ08LT	文件：345.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHB110NQ08T	文件：679.16 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits L	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHB110NQ08T	文件：89.77 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PHP110NQ08
功能描述：
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
TrenchMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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