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PHP10N40	文件：54.3 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOS transistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP10N40	文件：372.05 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·Switch-modePowerSupplies ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP10N40E	文件：115.18 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOS transistors Avalanche energy rated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP10N60Eissupplied	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHX10N40E	文件：74.74 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHX10N40Eissupplied	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
SIF10N40E	文件：442.12 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC
SIHB10N40D	文件：157.64 Kbytes Page：7 Pages	DSeriesPowerMOSFET FEATURES •Optimaldesign -Lowareaspecificon-resistance -Lowinputcapacitance(Ciss) -Reducedcapacitiveswitchinglosses -Highbodydioderuggedness -Avalancheenergyrated(UIS) •Optimalefficiencyandoperation -Lowcost -Simplegatedrivecircuitry -Lowfigure-of-merit(	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHB10N40D	文件：156.92 Kbytes Page：7 Pages	DSeriesPowerMOSFET FEATURES •Optimaldesign -Lowareaspecificon-resistance -Lowinputcapacitance(Ciss) -Reducedcapacitiveswitchinglosses -Highbodydioderuggedness -Avalancheenergyrated(UIS) •Optimalefficiencyandoperation -Lowcost -Simplegatedrivecircuitry	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF10N40D	文件：319.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHF10N40D	文件：178.28 Kbytes Page：8 Pages	DSeriesPowerMOSFET FEATURES •Optimaldesign -Lowareaspecificon-resistance -Lowinputcapacitance(Ciss) -Reducedcapacitiveswitchinglosses -Highbodydioderuggedness -Avalancheenergyrated(UIS) •Optimalefficiencyandoperation -Lowcost -Simplegatedrivecircui	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP10N40D	文件：328.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
PHP10N40
制造商：
PHILIPS
制造商全称：
NXP Semiconductors
功能描述：
PowerMOS transistor

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