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PHP10N10E	文件：71.22 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOS transistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelope.ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andingeneralpurposeswitchingapplications.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP10N10E	文件：371.5 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PJD10N10	文件：385.39 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
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SPP10N10	文件：939.51 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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