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PHK04P02T中文资料安世数据手册PDF规格书

PHK04P02T
厂商型号

PHK04P02T

功能描述

P-channel vertical D-MOS logic level FET

文件大小

304.86 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-6 21:01:00

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PHK04P02T规格书详情

1.1 General description

Logic level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using vertical D-MOS technology. This product is designed and qualified for use

in computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Suitable for high frequency

applications due to fast switching

characteristics

Suitable for logic level gate drive

sources

Suitable for very low gate drive

sources voltage

1.3 Applications

Battery powered applications

High-speed digital interfaces

产品属性

  • 型号:

    PHK04P02T

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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