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PHF14NQ20T	文件：68.9 Kbytes Page：9 Pages	N-channel TrenchMOS transistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticfullpackenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHX14NQ20Tissupplie	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB14NQ20T	文件：64.95 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOStransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Productavailability: PHP14NQ20TinSOT78(TO-220AB) PHB14NQ20TinSOT404(D2-PAK) PHD14NQ20TinSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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