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PHD98N03LT	文件：287.34 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Product availability: PHP98N03LT in SOT78 (TO-220AB) PHB98N03LT in SOT404 (D2-PAK) PHD98N03LT in SOT428 (D-PAK). Features ■ Low on-state resistance ■ Fast switching. 文件：287.34 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHD98N03LT	文件：299.09 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.09 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHD98N03LT	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor	恩XP	恩XP
PHP98N03LT	文件：371.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：371.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHP98N03LT	文件：287.34 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Product availability: PHP98N03LT in SOT78 (TO-220AB) PHB98N03LT in SOT404 (D2-PAK) PHD98N03LT in SOT428 (D-PAK). Features ■ Low on-state resistance ■ Fast switching. 文件：287.34 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI

详细参数

型号：
PHD98N03L
功能描述：
MOSFET TAPE13 MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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