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PHD95N03LT	文件：282.09 Kbytes Page：13 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHD95N03LTinSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching. Applications ■HighfrequencycomputermotherboardDCtoDCconver	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
FQB95N03L	文件：229.7 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelLogicLevelPWMOptimizedPowerMOSFET GeneralDescription ThisdeviceemploysanewadvancedtrenchMOSFETtechnologyandfeatureslowgatechargewhilemaintaininglowon-resistance. Optimizedforswitchingapplications,thisdeviceimprovestheoverallefficiencyofDC/DCconvertersandallowsoperationtohigherswitchingfrequen	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB95N03L	文件：294.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=95A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQP95N03L	文件：372.31 Kbytes Page：8 Pages	30VLOGICN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSM95N03L	文件：1.78743 Mbytes Page：6 Pages	30VLOGICN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
PHB95N03LT	文件：344.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHB95N03LT	文件：304.68 Kbytes Page：15 Pages	N-channelTrenchMOStransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching. Applications ■HighfrequencycomputermotherboardDCtoDCconverters	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHE95N03LT	文件：304.68 Kbytes Page：15 Pages	N-channelTrenchMOStransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching. Applications ■HighfrequencycomputermotherboardDCtoDCconverters	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHE95N03LT	文件：280.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP95N03LT	文件：371.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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