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PHD36N03LT

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 44A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 17mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

文件:299.25 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

PHD36N03LT

N-channel TrenchMOS logic level FET

文件:91.74 Kbytes 页数:13 Pages

PHI

飞利浦

PHI

PHD36N03LT

N-channel TrenchMOS logic level FET

文件:215.6 Kbytes 页数:13 Pages

恩XP

恩XP

PHD36N03LT

N-channel TrenchMOS logic level FET

恩XP

恩XP

详细参数

  • 型号:

    PHD36N03

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT TAPE13 MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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恩XP
25+
TO252
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30216
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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更多PHD36N03供应商 更新时间2025-12-16 15:41:00