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PHB33NQ20T	文件：344.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=77mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
PHD33NQ20T
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRENCH-200
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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