PHD108NQ中文资料N-channel TrenchMOS logic level FET数据手册恩XP规格书
PHD108NQ规格书详情
描述 Description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
技术参数
- 型号：
PHD108NQ
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
22+ |
TO-252 |
25800 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
PHI |
2025+ |
TO-252-2 |
5425 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
9865 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | |||
恩XP |
23+ |
TO-252 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
恩XP |
07+P |
TO-252 |
925 |
询价 | |||
恩XP |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
PHI |
2023+ |
SMD |
31024 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 | ||
恩XP |
20+ |
SOT428TO-252 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 | |||
SOT-252 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 |
