| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
- 厂家型号：
PHD101NQ03LT
- 产品分类：
芯片
- 生产厂商：
恩XP
- 库存数量：
504348
- 产品封装：
TO-252
- 生产批号：
24+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-8-4 17:06:00
首页>PHD101NQ03LT>芯片详情
PHD101NQ03LT_恩XP_两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS汇莱威一部
- 详细信息
- 规格书下载
原厂料号：PHD101NQ03LT品牌：恩XP
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- 芯片型号：
PHD101NQ03LT
- 规格书：
- 内容页数：
13 页
- 文件大小：
196.41 kb
- 资料说明：
N-channel TrenchMOS logic level FET
产品属性
- 类型
描述
- 型号：
PHD101NQ03LT
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
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