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PHB45N03LTA	文件：298.65 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP45N03LTAinSOT78(TO-220AB) PHB45N03LTAinSOT404(D2-PAK) PHD45N03LTAinSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswit	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB45N03LTA	文件：1.01488 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHB45N03T	文件：66.18 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticsuitableforsurfacemountingenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB45N03T	文件：1.01485 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHD45N03LT	文件：298.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=21mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD45N03LTA	文件：1.01549 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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PHP45N03LT	文件：372.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=45A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=21mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP45N03LT	文件：55.3 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP45N03LTissuppl	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP45N03LTA	文件：298.65 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP45N03LTAinSOT78(TO-220AB) PHB45N03LTAinSOT404(D2-PAK) PHD45N03LTAinSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswit	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	PHB45N03LTA	恩XP	17+	SOT404TO-263D2PAK	31518	原装正品可含税交易	询价
深圳市一线半导体有限公司	PHB45N03LTA	PH	24+	SOT404TO-263D2PAK	8866		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	PHB45N03LTA	恩XP	23+	TO263	7209	原装正品,假一罚十	询价
深圳市博浩通科技有限公司	PHB45N03LTA	PH	23+	TO-263D2PAK	21000	全新原装	询价
深圳市利加科技有限公司	PHB45N03LTA	恩XP	16+	NA	8800	诚信经营	询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	PHB45N03LTA	NEXPERIA	1728+	?	6500	只做原装进口,假一罚十	询价
深圳市华来深电子有限公司	PHB45N03LTA	恩XP	23+	TO-263	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
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