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PHB225NQ04T	文件：93.72 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Features ■ Standard level threshold ■ Very low on-state resistance. Applications ■ Motors, lamps, solenoids ■ Uninterruptible power supplies ■ DC-to-DC converters ■ General ind 文件：93.72 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
PHB225NQ04T	文件：344.56 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.1mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：344.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHB225NQ04T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET	恩XP	恩XP
PHP225NQ04T	文件：371.55 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.1mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：371.55 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHP225NQ04T	文件：93.72 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Features ■ Standard level threshold ■ Very low on-state resistance. Applications ■ Motors, lamps, solenoids ■ Uninterruptible power supplies ■ DC-to-DC converters ■ General ind 文件：93.72 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI

详细参数

型号：
PHB225NQ04T
功能描述：
MOSFET TRENCHMOS(TM) FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	PHB225NQ04T	PH	24+	SOT404TO-263D2PAK	8866		询价
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