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PHB18NQ20T	文件：96.23 Kbytes Page：9 Pages	N-channel TrenchMOS transistor GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistorusingTrenchtechnology,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB18NQ20T	文件：345.56 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP18NQ20T	文件：96.23 Kbytes Page：9 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistorusingTrenchtechnology,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP18NQ20T	文件：372.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHX18NQ20T	文件：293.38 Kbytes Page：15 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHX18NQ20TinSOT186A Features ■TrenchMOS™technology ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching ■Lowthermalresistance ■Isolatedtab. Applicati	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PHB18NQ20
制造商：
PHILIPS
制造商全称：
NXP Semiconductors
功能描述：
N-channel TrenchMOS transistor

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