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PHB145NQ06T_NXP/恩智浦_MOSFET TRENCHMOS(TM) FET华来深电子
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号:
PHB145NQ06T
- 功能描述:
MOSFET TRENCHMOS(TM) FET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
- 企业:
深圳市华来深电子有限公司
- 商铺:
- 联系人:
朱先生
- 手机:
13751106682
- 询价:
- 电话:
0755-83238902/13662247350
- 传真:
0755-83972189
- 地址:
深圳市福田区上步工业区205栋5A36室/门市部:深圳市福田区华强北路国利大厦新亚洲二期N2B227
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