首页>PHB11N06LT>规格书详情
PHB11N06LT中文资料飞利浦数据手册PDF规格书
PHB11N06LT规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.
The PHP11N06LT is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.
The PHB11N06LT is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting package.
The PHD11N06LT is supplied in the SOT428 (DPAK) surface mounting package.
FEATURES
• ’Trench’technology
• Low on-state resistance
• Fast switching
• Logic level compatible
产品属性
- 型号：
PHB11N06LT
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
NA/ |
50000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
PHI |
22+ |
SOT263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
PHI |
632 |
TO-263 |
1600 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
恩XP |
1822+ |
TO-263 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
PHI |
22+ |
TO-263 |
5000 |
只做原装,假一赔十 |
询价 | ||
PHI |
22+ |
TO-263 |
30000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
TO263 |
9800 |
全新原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
TO-263 |
3000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
询价 | ||
PHI |
2025+ |
SOT-404 |
3685 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 |
