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TD-8030	文件：90 Kbytes Page：5 Pages	MICROWAVENOISETUBES&NOISESOURCES DESCRIPTION CPClare’sTDSeriesofgasdischargemicrowavenoisetubesandTNSeriesofgasdischargemicrowavenoisesourcesaretheelementinamicrowaveRFsystemthatallowsaccuratemeasurementsofthenoisefigureofthereceiveroritscomponents.Therequirementsofadeviceusedforma	Clare Clare, Inc.	Clare
TDA8030	文件：228.99 Kbytes Page：57 Pages	USBsmartcardreader(OTPorROM)	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
TDA8030HL	文件：228.99 Kbytes Page：57 Pages	USBsmartcardreader(OTPorROM)	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
TPC8030	文件：229.16 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIV)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8030	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCA8030-H	文件：148.21 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconN-ChannelMOSType(U-MOSV-H) High-EfficiencyDC-DCConverterApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •High-speedswitching •Smallgatecharge:QSW=5.0nC(typ.) •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=7.3mΩ(typ.) •Highforwardt	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCA8030-H	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCA8030-H	文件：1.11191 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UBX-M8030	文件：269.67 Kbytes Page：2 Pages	Versatileu-bloxM8GNSSchips VersatileGNSSchipsinthreeproductgrades •Concurrentreceptionofupto3GNSS(GPS,Galileo,GLONASS,BeiDou) •Industryleading–167dBmnavigationsensitivity •Industrylowestcurrentconsumption •Superiorpositionaccuracyinurbancanyons •Securityandintegrityprotection •Sup	U-BLOXu-blox A G AGu-blox AG	U-BLOX
UBX-M8030-CT	文件：269.67 Kbytes Page：2 Pages	Versatileu-bloxM8GNSSchips VersatileGNSSchipsinthreeproductgrades •Concurrentreceptionofupto3GNSS(GPS,Galileo,GLONASS,BeiDou) •Industryleading–167dBmnavigationsensitivity •Industrylowestcurrentconsumption •Superiorpositionaccuracyinurbancanyons •Securityandintegrityprotection •Sup	U-BLOXu-blox A G AGu-blox AG	U-BLOX

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详细参数

型号：
PH8030L
功能描述：
MOSFET TRENCH-3
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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