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PH6030L

N-channel TrenchMOS logic level FET

文件:164.39 Kbytes 页数:12 Pages

恩XP

恩XP

PH6030L

N-channel TrenchMOS logic level FET

恩XP

恩智浦

恩XP

PL6030JP

Polyimide Passivated Auto Rectifier

文件:645.39 Kbytes 页数:2 Pages

YENYO

元耀科技

PMEG6030ELP

60 V, 3 A low leakage current Schottky barrier rectifier

文件:259.05 Kbytes 页数:14 Pages

NEXPERIA

安世

PMEG6030ELP-Q

60 V, 3 A low leakage current Schottky barrier rectifier

1. General description Planar Schottky barrier rectifier with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD128 small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • Extremely low leakage current IR = 340 nA • Average forward cur

文件:259.76 Kbytes 页数:13 Pages

NEXPERIA

安世

详细参数

  • 型号:

    PH6030L

  • 功能描述:

    MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 76.7A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多PH6030L供应商 更新时间2025-10-13 16:00:00