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PH3134-30S分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PH3134-30S |
| 参数属性 | PH3134-30S 包装为托盘；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频；产品描述：RF TRANS NPN 65V |
| 功能描述 | Radar Pulsed Power Transistor, 3OW, lms Pulse, 10 Duty 3.1 - 3.4 GHz |
| 文件大小 |
149.74 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | Tyco Electronics |
| 企业简称 |
MACOM |
| 中文名称 | Tyco Electronics官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-1 17:18:00 |
PH3134-30S规格书详情
Features
• NPN Silicon Microwave Power Transistor
• Common Base Configuration
• Broadband Class C Operation
• High Efficiency Interdigitated Geometry
• Diffused Emitter Ballasting Resistors
• Gold Metalization System
• Internal Input and Output Impedance Matching
• Hermetic Metal/Ceramic Package
PH3134-30S属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。Tyco Electronics制造生产的PH3134-30S晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号：
PH3134-30S
- 制造商：
MACOM Technology Solutions
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
65V
- 增益：
7.5dB
- 功率 - 最大值：
30W
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
3.6A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 描述：
RF TRANS NPN 65V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
M/A-COM |
23+ |
SMD |
90000 |
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询价 | ||
MA/COM |
2017+ |
SMD |
1585 |
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MA |
24+25+/26+27+ |
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询价 | ||
MA/COM |
23+ |
TO-59 |
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询价 | ||
MCM |
999 |
询价 | |||||
M/A-COM |
22+ |
36000 |
原装现货假一赔十 |
询价 | |||
MA/COM |
NA |
8600 |
原装正品,欢迎来电咨询! |
询价 | |||
M/A-Com Technology Solutions |
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- |
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SMD |
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询价 |
