PH1955L中文资料飞利浦数据手册PDF规格书
PH1955L规格书详情
General description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology.
特性 Features
■ Logic level threshold
■ Low on-state resistance
■ 175 °C rated
■ Surface-mounted package
Applications
■ DC-to-DC converters
■ General purpose power switching
■ Motors, lamps and solenoids
■ 12 V and 24 V loads
产品属性
- 型号：
PH1955L
- 功能描述：
MOSFET N-CH TRENCH 55V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
25+ |
N/A |
6000 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
恩XP |
26+ |
N/A |
60000 |
只有原装 可配单 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT669 |
7000 |
现货 |
询价 | ||
恩XP |
2022+ |
SOT669 |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
N/A |
6000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
NA |
45000 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
PHI |
25+ |
SOT223-4 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
PHI |
2025+ |
SOT223-4 |
3872 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
恩XP |
16+ |
NA |
8800 |
诚信经营 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
LFPak-4 |
115 |
询价 |
