PGY04N020中文资料屏蔽栅沟槽功率场效应管数据手册HTSEMI规格书
技术参数
- 制造商编号
:PGY04N020
- 生产厂家
:HTSEMI
- 工艺
:单N
- 沟道类型
:否
- 防静电ESD
:30
- 漏源耐压Vds(V)
:20.000
- 栅源耐压Vgs(V)
:1.6
- 阈值电压Vth(V)TYP
:55.000
- 电流ID(A)
:5.500
- 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=10V
:9.000
- 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=4.5V
:0.000
- 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=1.8V
:0.000
- 规格书
:0.000
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
97+ |
SOP |
30 |
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/ |
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2407+ |
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PULSE/普思 |
2450+ |
SMD |
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PHI |
23+ |
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SOT23-5 |
6200 |
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NEC |
23+ |
SOP |
8293 |
询价 | |||
ATC |
23+ |
SMD |
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MLF-8 |
1978 |
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TI |
16+ |
SOT23-5 |
10000 |
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