PGD10N125中文资料屏蔽栅沟槽功率场效应管数据手册HTSEMI规格书
技术参数
- 制造商编号
:PGD10N125
- 生产厂家
:HTSEMI
- 工艺
:单N
- 沟道类型
:否
- 防静电ESD
:100
- 漏源耐压Vds(V)
:20.000
- 栅源耐压Vgs(V)
:1.8
- 阈值电压Vth(V)TYP
:55.000
- 电流ID(A)
:12.500
- 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=10V
:17.000
- 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=4.5V
:0.000
- 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=1.8V
:0.000
- 规格书
:0.000
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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NIEC |
24+ |
module |
6000 |
全新原装正品现货 假一赔佰 |
询价 | ||
NIEC |
23+ |
120300 |
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NIEC
|
100 |
原装现货,价格优惠 |
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NIEC |
1923+ |
NA |
1550 |
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NIEC |
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NIEC |
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模块 |
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NI |
2023+ |
模块 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
24+ |
3000 |
公司存货 |
询价 | ||||
NIEC |
23+ |
模块 |
3562 |
询价 | |||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
询价 |