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PZT882J-GR-C	文件：309.83 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconMediumPowerTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
PZT882J-O	文件：308.94 Kbytes Page：2 Pages	3A,40VNPNSiliconMediumPowerTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
PZT882J-O-C	文件：309.83 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconMediumPowerTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
PZT882J-Y	文件：308.94 Kbytes Page：2 Pages	3A,40VNPNSiliconMediumPowerTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
PZT882J-Y-C	文件：309.83 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconMediumPowerTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S-882Z	文件：560.91 Kbytes Page：24 Pages	ULTRA-LOWVOLTAGEOPERATIONCHARGEPUMPICFORSTEP-UPDC-DCCONVERTERSTARTUP ULTRA-LOWVOLTAGEOPERATIONCHARGEPUMPICFORSTEP-UPDC-DCCONVERTERSTARTUP TheS-882ZSeriesisachargepumpICforstep-upDC-DCconverterstartup,whichdiffersfromconventionalchargepumpICs,inthatitusesfullydepletedSOI(SilicononInsulator)technologytoenableultra-lowvolta	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
SIE882DF	文件：230.02 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel25V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®GenIIIpowerMOSFET •Ultralowthermalresistanceusingtop-exposed PolarPAK®packagefordouble-sidedcooling •Leadframe-basedencapsulatedpackage -Dienotexposed -Samelayoutregardlessofdiesize,100V •LowQgd/Qgsratiohelpspreventshoot-through •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIE882DF	文件：207.21 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel25-V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SIE882DF	文件：207.31 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel25-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR882ADP	文件：132.24 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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