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PMEG2010BEV	文件：164.64 Kbytes Page：11 Pages	1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifier FEATURES •Forwardcurrent:1A •Reversevoltages:20V,30V,40V •Verylowforwardvoltage •UltrasmallandverysmallplasticSMDpackage •PowerdissipationcomparabletoSOT23. APPLICATIONS •HighefficiencyDC-to-DCconversion •Voltageclamping •Protectioncircuits •Lowvolt	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG2010EA	文件：57.12 Kbytes Page：7 Pages	LowVF(MEGA)Schottkybarrierdiode	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMEG2010EA	文件：57.91 Kbytes Page：8 Pages	20V,1AultralowVFMEGASchottkybarrierrectifierinSOD523package DESCRIPTION PlanarMaximumEfficiencyGeneralApplication(MEGA)Schottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedinaSOD523(SC-79)ultrasmallplasticSMDpackage. FEATURES •Forwardcurrent:1.0A •Reversevoltage:20V •Ultralowforwardvolt	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMEG2010EA	文件：271.13 Kbytes Page：8 Pages	LowVF(MEGA)Schottkybarrierdiode FEATURES •Forwardcurrent:1A •Reversevoltage:20V •Ultrahigh-speedswitching •Verylowforwardvoltage •VerysmallplasticSMDpackage. APPLICATIONS •Ultrahigh-speedswitching •Voltageclamping •Protectioncircuits. DESCRIPTION PlanarMaximumEfficiencyGeneralApplication(ME	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG2010EA-Q	文件：186.13 Kbytes Page：8 Pages	20V,1AlowVFSchottkybarrierdiode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdiodewithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedina SOD323(SC-76)verysmallSMDplasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Forwardcurrent:1A •Reversevoltage:20V •Ultrahigh-speedswitching •Verylowforwar	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG2010EH	文件：75.62 Kbytes Page：12 Pages	1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifiers	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMEG2010EH	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMEG2010EH	文件：658.98 Kbytes Page：11 Pages	1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifiers 1.1Generaldescription PlanarMaximumEfficiencyGeneralApplication(MEGA)Schottkybarrierrectifierswithan integratedguardringforstressprotection,encapsulatedinsmallSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackages. 1.2Features nForwardcurrent:IF£1A nReversevoltage:VR£	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG2010EJ	文件：75.62 Kbytes Page：12 Pages	1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifiers	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMEG2010EJ	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PG2010R
制造商：
PANJIT
制造商全称：
Pan Jit International Inc.
功能描述：
GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST SWITCHING RECTIFIERS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	PG2010R	ON/DIODES/PANJIT	24+	DO-15	43000		询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	PG2010R	PANJIT	20+	DO-15	36800	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
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