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AFL5012SZ-HB	文件：122.22 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDANALOGHIGHRELIABILITYHYBRIDDC/DCCONVERTERS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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AH5012C	文件：269.27 Kbytes Page：11 Pages	MONOLITHICANALOGCURRENTSWITCHES	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
AH5012CM	文件：269.27 Kbytes Page：11 Pages	MONOLITHICANALOGCURRENTSWITCHES	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
AH5012CN	文件：269.27 Kbytes Page：11 Pages	MONOLITHICANALOGCURRENTSWITCHES	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
AM5012	文件：147.12 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGEPRESSFITDIODEFORAUTOMOTIVERECTIFIER VOLTAGERANGE100TO1200VOLTSCURRENT50AMPS Features Lowleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highforwardsurgecurrentcapability MechanicalData Case:Coppercase Technology:cellwithvcauumsoldered Polarity:Asmarkedofcasebottom Le	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
AP5012	文件：1.7929 Mbytes Page：36 Pages	BobbintronElectricalCorporation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
APT5012	文件：60.44 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV® SINGLEDIEISOTOP®PACKAGE N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT5012	文件：61.53 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. POWERMOSV® PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •Fast	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT5012JN	文件：60.44 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV® SINGLEDIEISOTOP®PACKAGE N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT5012LNR	文件：328.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT5012WVR	文件：261.14 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFET N-CHANNELMOSFET POWERMOSV® 500V40A0.120Ω	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT5012WVR	文件：61.53 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. POWERMOSV® PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •Fast	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
AR5012L	文件：93.84 Kbytes Page：2 Pages	AUTOMOTIVERECTIFIERDIODES FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
BAR5012D	文件：245.39 Kbytes Page：1 Pages	50AMPJUMBODIODECELL	DECDIOTEC Electronics Corporation DIOTEC Electronics Corporation	DEC
BR5012	文件：175.12 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedSinglePhaseBridgeRectifiers	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BR5012W	文件：185.48 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedSinglePhaseBridgeRectifiers	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BTS5012SDA	文件：566.81 Kbytes Page：27 Pages	SmartHigh-SidePowerSwitchPROFET??OneChannel	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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CDB5012A	文件：86.43 Kbytes Page：7 Pages	EvaluationBoard	CIRRUSCirrus Logic 凌云逻辑	CIRRUS

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