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PESD5V0V4UW-TP	文件：2.33178 Mbytes Page：4 Pages	Low Capacitance TVS Diode Array Features »Lowoperatingvoltage:5V/ »Ultralowcapacitance:0.3pFtypical(I/Otol/0) Ultralowleakage:nAlevel »Lowclampingvoltage »“IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:£20kV Contactdischarge:+15kV -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) -IEC61000-4-5(Lightning):4.0A(	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
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PESD5V0V4UW	文件：682.78 Kbytes Page：16 Pages	VerylowcapacitanceunidirectionalquadrupleESDprotectiondiodearrays 1.1Generaldescription VerylowcapacitanceunidirectionalquadrupleElectroStaticDischarge(ESD)protection diodearraysinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagesdesignedto protectuptofoursignallinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Features 1.3A	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0V4UW	文件：346.2 Kbytes Page：3 Pages	LOWCAPACITANCETVSDIODEARRAY Features Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:5V Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±15kV Contactdischarge:±8kV –IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) RoHSCompliant –IEC61000-4-5(Lightning)5A(8/20μs) A	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

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