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PESD5V0U2BM中文资料PDF规格书

PESD5V0U2BM
厂商型号

PESD5V0U2BM

参数属性

PESD5V0U2BM 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护 > TVS - 二极管;PESD5V0U2BM应用范围:汽车级;产品描述:TVS DIODE 5VWM 12VC DFN1006B-3

功能描述

Ultra low capacitance bidirectional double ESD protection array

文件大小

81.97 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-30 19:00:00

产品属性

  • 产品编号:

    PESD5V0U2BMB,315

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    5V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    5.5V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    12V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    1.5A(8/20µs)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    汽车级

  • 不同频率时电容:

    2.9pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-XFDFN

  • 供应商器件封装:

    DFN1006B-3

  • 描述:

    TVS DIODE 5VWM 12VC DFN1006B-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NXP
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