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PESD3V3V1BCSFYL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：0201（0603 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 3.3VWM 11VC DSN0603-2	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD3V3V1BCZF	文件：227.25 Kbytes Page：12 Pages	Ultra low clamping bidirectional ESD protection diode 文件：227.25 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD3V3V1BL	文件：251.21 Kbytes Page：13 Pages	Low capacitance bidirectional ESD protection diode 文件：251.21 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD3V3V1BCSF	文件：304.9 Kbytes Page：4 Pages	DFN0603-2L ESD Protection Devices ROHS Features 70W peak pulse power (tp =8/20μs) Tiny DFN0603-2 package Bidirectional configurations Solid-state silicon-avalanche technology Low clamping voltage Low leakage current IEC 61000-4-2 IEC 61000-4-4 (EFT) 40A(5/50ns) IEC 61000-4-5 (Lightning) 9A(8/20μs) ±30kV contact ±30kV air 文件：304.9 Kbytes 页数：4 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
PESD3V3V1BCSF	文件：383.62 Kbytes Page：4 Pages	70W peak pulse power (tp =8/20μs Features 70W peak pulse power (tp =8/20μs) Tiny DFN0603-2 package Bidirectional configurations Solid-state silicon-avalanche technology Low clamping voltage Low leakage current IEC 61000-4-2 IEC 61000-4-4 (EFT) 40A(5/50ns) IEC 61000-4-5 (Lightning) 9A(8/20μs) Applications Cell Phone Han 文件：383.62 Kbytes 页数：4 Pages	UMW 友台半导体	UMW
PESD3V3V1BCSF	文件：218.87 Kbytes Page：11 Pages	Ultra low clamping bidirectional ESD protection diode 文件：218.87 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
PESD3V3V1BCSFYL
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
3.3V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
4.5V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
11V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
7.1A（8/20µs）
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
8.5pF @ 1MHz
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0201（0603 公制）
供应商器件封装：
DSN0603-2
描述：
TVS DIODE 3.3VWM 11VC DSN0603-2

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