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PESD3V3S2UT/ZLR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 3.3VWM 20VC TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
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PESD3V3S2UAT	文件：241.54 Kbytes Page：14 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package FEATURES ·UnidirectionalESDprotectionofuptotwolines ·Common-cathodeconfiguration ·Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/20ms ·Lowclampingvoltage:V(CL)R=20VatIpp=18A ·Ultra-lowreverseleakagecurrent:IRM30kV ·IEC61000-4-2;lev	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD3V3S2UAT	文件：122.37 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package DESCRIPTION UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodesincommoncathodeconfigurationintheSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesagainstdamagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. FEATURES •UnidirectionalESDprotectionofupt	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD3V3S2UAT-Q	文件：208.4 Kbytes Page：11 Pages	DoubleESDprotectiondiodeinSOT23package 1.Generaldescription UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodeincommoncathodeconfigurationinasmallSOT23 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage,designedtoprotectuptotwodatalinesagainst damagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. 2.Featuresandbene	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD3V3S2UQ	文件：121.16 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD3V3S2UQ	文件：675.27 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package 1.1Generaldescription UnidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinaSOT663ultra smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotect uptotwosignallinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Features 1.3Appl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD3V3S2UT	文件：502.1 Kbytes Page：4 Pages	350Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) Features 350Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) Bidirectionalandunidirectionalconfigurations Solid-statesilicon-avalanchetechnology Lowclampingvoltage Lowleakagecurrent IEC61000-4-2±30kVcontact±30kVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lightning)20A(8/20μs） Applic	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
PESD3V3S2UT	文件：250.44 Kbytes Page：14 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package FEATURES •Uni-directionalESDprotectionofuptotwolines •Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/20μs •Lowclampingvoltage:V(CL)R=20VatIpp=18A •Ultra-lowreverseleakagecurrent:IRM23kV •IEC61000-4-2;level4(ESD) •IEC61000-4-5(su	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD3V3S2UT	文件：235.89 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

产品属性

产品编号：
PESD3V3S2UT/ZLR
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
散装
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
3.3V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
5.2V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
20V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
18A（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲：
330W
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
207pF @ 1MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TVS DIODE 3.3VWM 20VC TO236AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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