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PESD3V3S2UQ电路保护的TVS-二极管规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PESD3V3S2UQ |
| 参数属性 | PESD3V3S2UQ 封装/外壳为SOT-663；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为电路保护的TVS-二极管；PESD3V3S2UQ应用范围：通用；产品描述：TVS DIODE 3.3VWM 20VC SOT663 |
| 功能描述 | Double ESD protection diodes in SOT663 package |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT663 / SOT-663 |
| 文件大小 |
675.27 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-25 22:30:00 |
| 人工找货 | PESD3V3S2UQ价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PESD3V3S2UQ规格书详情
1.1 General description
Unidirectional double ElectroStatic Discharge (ESD) protection diodes in a SOT663 ultra
small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package designed to protect
up to two signal lines from the damage caused by ESD and other transients.
1.2 Features
1.3 Applications
Unidirectional ESD protection of up to
two lines
ESD protection up to 30 kV
Max. peak pulse power: PPP = 150W
at tp = 8/20 μs
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
Low clamping voltage: VCL = 20 V
at IPP = 15 A
IEC 61000-4-5 (surge); IPP = 15 A
at tp = 8/20 μs
Low reverse leakage current: IRM < 1 nA
Computers and peripherals
High-speed data lines
Audio and video equipment
Parallel ports
Communication systems
产品属性
- 产品编号：
PESD3V3S2UQ,115
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
电路保护 > TVS - 二极管
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 类型：
齐纳
- 电压 - 反向断态（典型值）：
3.3V（最大）
- 电压 - 击穿（最小值）：
5.2V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
20V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
15A（8/20µs）
- 功率 - 峰值脉冲：
150W
- 电源线路保护：
无
- 应用：
通用
- 不同频率时电容：
200pF @ 1MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-663
- 供应商器件封装：
SOT-663
- 描述：
TVS DIODE 3.3VWM 20VC SOT663
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT663 |
80000 |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
23+ |
SOT663 |
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23+ |
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恩XP |
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