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PESD3V3L1UB	文件：389.97 Kbytes Page：4 Pages	UnidirectionalESDprotectionofoneline Features Applications ESDprotectionupto30kV Lowdiodecapacitance:Cd=34pF IEC61000-4-2;level4(ESD) Lowclampingvoltage:VCL=11V AEC-Q101qualified Verylowleakagecurrent:IRM=100nA Computersandperipherals SubscriberIdentityModule(SIM)card protection Audioa	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
PESD3V3L1UB	文件：553.47 Kbytes Page：13 Pages	LowcapacitanceunidirectionalESDprotectiondiodes 1.1Generaldescription LowcapacitanceunidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinsmall Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagesdesignedtoprotectonesignallinefrom thedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Features 1.3Applications Table1.Product	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD3V3L1UL	文件：553.47 Kbytes Page：13 Pages	LowcapacitanceunidirectionalESDprotectiondiodes 1.1Generaldescription LowcapacitanceunidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinsmall Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagesdesignedtoprotectonesignallinefrom thedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Features 1.3Applications Table1.Product	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD3V3L1UL	文件：2.9356 Mbytes Page：4 Pages	BIDIRECTIONALTVSDIODE Features Protectsonedataline Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:3.3V Ultralowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV –IEC61000-4-5(Lightning)8A(8/20μs) RoHSCompliant App	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
PESD3V3L1UL	文件：120.54 Kbytes Page：13 Pages	LowcapacitanceunidirectionalESDprotectiondiodes	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD3V3L1UL	文件：120.54 Kbytes Page：13 Pages	LowcapacitanceunidirectionalESDprotectiondiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PESD3V3L1ULS	文件：230.08 Kbytes Page：11 Pages	UnidirectionalESDprotectiondiode 1.Generaldescription UnidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodedesignedtoprotectonesignalline fromthedamagecausedbyESDandothertransients.Thedeviceishousedinaleadlessultra smallDFN1006BD-2(SOD882BD)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithsi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
TPPESD3V3L1BA	文件：1.05098 Mbytes Page：4 Pages	1-LineBi-directionalDiode Features 450Wpeakpulsepower(8/201s) Protectsonedataorpowerline Operatingvoltage:3.3V Ultralowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: ~IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:+30kV Contactdischarge:£30kV. ~IEC61000-4-4(EFT)80A(5/50ns) ~IEC61000-4-5	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

产品属性

产品编号：
PESD3V3L1ULSYL
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
电压 - 反向断态（典型值）：
3.3V（最大）
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
4.5A（8/20µs）
电源线路保护：
无
应用：
通用
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOD-882
供应商器件封装：
DFN1006BD-2
描述：
TVS DIODE 3.3VWM DFN1006BD-2

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更多PESD3V3L1ULSYL供应商更新时间2025-5-23 23:00:00

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