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PEMB11	文件：228.63 Kbytes Page：11 Pages	Marking：B1；Package：SOT666；PNP/PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ 1.Generaldescription PNP/PNPResistor-EquippedTransistors(RET)inanultrasmallandflatleadSOT666Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PEMD3 NPN/NPNcomplement:PEMH11 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresisto	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PEMB11	文件：45.6 Kbytes Page：8 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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PEMB11

文件：228.63 Kbytes

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Marking：B1；Package：SOT666；PNP/PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ

1.Generaldescription PNP/PNPResistor-EquippedTransistors(RET)inanultrasmallandflatleadSOT666Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PEMD3 NPN/NPNcomplement:PEMH11 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresisto

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

PEMB11

文件：45.6 Kbytes

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PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm

PhilipsPhilips Semiconductors

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Philips

PEMB11_PUMB11_15

文件：634.1 Kbytes

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PNP/PNP resistor-equipped transistors;

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

详细参数

型号：
PEMB11
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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更多PEMB11供应商更新时间2025-5-29 15:30:00

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