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PE9916	文件：109.36 Kbytes Page：1 Pages	BREAKOUT, BNC MALE TO INSULATED SPADE LUGS	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
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SDD9916	文件：961.17 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SDU9916	文件：960.57 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®GenIIIPowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •DC/DCConversion -SystemPower	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SDU9916	文件：424.82 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
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SSM9916H	文件：429.86 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERMOSFET Description PowerMOSFETsfromSiliconStandardprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Lowon-resistance Capableof2.5Vgatedrive Lowdrivecurrent Simpledriverequirement	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
SSM9916J	文件：429.86 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERMOSFET Description PowerMOSFETsfromSiliconStandardprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Lowon-resistance Capableof2.5Vgatedrive Lowdrivecurrent Simpledriverequirement	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
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STD9916L	文件：900.03 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop

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