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N-ChannelPowerTrenchMOSFET Features ●rDS(ON)=24mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=44A ●Qg(tot)=24nC(Typ.),VGS=10V ●LowMillerCharge ●LowQRRBodyDiode ●UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER | ||
Verylowdropoutvoltage/quiescentcurrent3.0Vvoltageregulatorwithenable | PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | ||
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更新时间2025-5-20 10:03:00
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