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PDZ6.8B分立半导体产品二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

PDZ6.8B
厂商型号

PDZ6.8B

参数属性

PDZ6.8B 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单;产品描述:DIODE ZENER SOD323

功能描述

Total power dissipation: max. 400 mW
DIODE ZENER SOD323

文件大小

143.27 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-4 22:30:00

PDZ6.8B规格书详情

DESCRIPTION

Low-power general purpose voltage regulator diodes in a small plastic SMD SOD323 (SC-76) package.

FEATURES

• Total power dissipation: max. 400 mW

• Small plastic package suitable for surface mounted design

• Wide variety of voltage ranges: nominal 2.4 to 36 V (E24 range)

• Tolerance approximately ±2.

APPLICATIONS

• General voltage regulation.

PDZ6.8B属于分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单。恩智浦半导体公司制造生产的PDZ6.8B二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

产品属性

  • 产品编号:

    PDZ6.8B/ZLX

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 描述:

    DIODE ZENER SOD323

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