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PDTD123YQA	文件：1.96506 Mbytes Page：22 Pages	50V,500mANPNresistor-equippedtransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123YQA	文件：1.96439 Mbytes Page：22 Pages	50V,500mANPNresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors 10resistorratiotolerance Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123YQA	文件：2.00195 Mbytes Page：22 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors 10resistorratiotolerance Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123YS	文件：246.74 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123YT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTD123YT	文件：246.74 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123YT-Q	文件：221.05 Kbytes Page：11 Pages	50V,500mANPNresistor-equippedtransistor;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTB123YT-Q 2.Featuresandbenefits •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •500mAoutputcurrentcapability •Reduces	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123YU	文件：3.59479 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VNPNresistor-equippedtransistors Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance ■Built-inbiasresistors ■AEC-Q101qualified ■Simplifiescircuitd	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123YU	文件：3.59374 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VNPNresistor-equippedtransistors Features 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount 10resistorratiotolerance AEC-Q101qualified Hightemperatureapplications upto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123YU	文件：3.64448 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors Features 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount 10resistorratiotolerance AEC-Q101qualified Hightemperatureapplications upto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PDTD123TK
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 500 MA RET
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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