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PDTD123ET-Q	文件：202 Kbytes Page：9 Pages	Marking：7T；Package：SOT23；50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ 1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PDTB123ET-Q 2.Featuresandbenefits •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •500mAoutputcurrentcapability •Reducescomponentc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123EU	文件：3.59479 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VNPNresistor-equippedtransistors Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance ■Built-inbiasresistors ■AEC-Q101qualified ■Simplifiescircuitd	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123EU	文件：3.59374 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VNPNresistor-equippedtransistors Features 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount 10resistorratiotolerance AEC-Q101qualified Hightemperatureapplications upto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123EU	文件：3.64448 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors Features 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount 10resistorratiotolerance AEC-Q101qualified Hightemperatureapplications upto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123T	文件：67.49 Kbytes Page：10 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2k-ohm,R2=open	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTD123T	文件：243.15 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123T_SER	文件：243.15 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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PDTD123TS	文件：67.49 Kbytes Page：10 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2k-ohm,R2=open	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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